由於在TD-SCDMA晶片領域，已呈現天碁、聯芯、聯發科、展訊、晨星等多強競爭的局面，為避免輸在起跑點，高通(Qualcomm)憑藉自家技術，放棄中國大陸自有3G標準龐大的內需市場，直攻可與全球接軌的下世代TD-LTE市場。
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| Anadigics無線RF產品資深總監Mahendra K. Singh表示，TD-LTE前景可期，該公司已著手進行TD-LTE功率放大器產品研發。 |
在2010年8月中旬市場即傳出高通內部已確定TD-LTE晶片將在2010年進行試驗，2011年中將正式投入量產與商用，直至高通正式發布產品，此傳言進一步獲得證實。高通表示，MDM9200 TD LTE晶片同時具備2×2多重輸入多重輸出(MIMO)技術，以2.3GHz頻段進行傳輸，2010年底將與全球多家電信業者合作，針對採用MDM9200以及MDM9600解決方案的TD-LTE產品進行行動測試。
專注於各項無線通訊技術功率放大器(PA)研發的Anadigics，與高通於3G時代即開始合作，Anadigics無線RF產品資深總監Mahendra K. Singh表示，LTE規格區分為TDD與FDD模式，TDD模式即為TD-LTE，源自於中國大陸TD-SCDMA，高通直接切入TD-LTE晶片研發最大的原因在於TD-SCDMA的市場僅局限於中國大陸，即使中國大陸內需市場龐大，但僅限於單一地區的市場規模經濟，仍無法與全球市場比擬，因此高通選擇將資源投入TD-LTE。
測試儀器廠商一向與晶片業者的合作也相當密切，羅德史瓦茲(R&S)系統應用工程部經理盧明政指出，雖然身為儀器廠商不應押寶或放棄任何無線通訊測試市場，但事實上，高通的策略正與羅德史瓦茲不謀而合。TD-SCDMA可謂過渡性技術，中國移動甚至很可能直接將其2G用戶直接升級至TD-LTE，最大原因的確是TD-SCDMA並未產生一定程度的市場規模。
安立知(Anritsu)總經理陳逸樺則表示，雖然TD-LTE是由TD-SCDMA發展而來，但第三代夥伴計畫(3GPP)推出的LTE TDD規範，事實上卻與TD-LTE大同小異，具80～90%相似度，甚至可以說3GPP的LTE TDD版本大多參考TD-LTE而來，更何況目前LTE TDD版本未定，未來3GPP很有可能將LTE TDD修正為TD-LTE，屆時，TD-LTE即可成為真正所謂的國際標準，再加上目前全球已有多家電信業者表態支持TD-LTE，顯現TD-LTE已跨出中國本土市場，遂能吸引高通與其他晶片大廠著手研發晶片。
